输出电压和电流知道了，怎么算MOS内阻？MOS管驱动芯片的供电电流如何算？
输出电压和电流知道了，怎么算MOS内阻？
可以通过下面的公式计算MOS的内阻：Rds(on) = (Vgs – Vth) / Id其中，Vgs为栅极源极电压，Vth为临界电压，Id为漏极电流。MOS管的内阻越小，其导通损耗就越小，未导通状态下的阻抗就越大，因而其开关速度也越快。在实际电路设计中，需要结合具体情况选择合适的MOS管来满足设计要求。
结论：可以通过输出电压和电流来计算MOS的内阻原因：MOS的内阻可以通过Ohm定律计算出来，而Ohm定律是通过电阻、电流和电压之间的关系来描述的。在MOS中，内阻可以近似为导通时的电阻，因此可以通过求输出电流和电压的比值来计算内阻。内容延伸：为了更准确地计算MOS内阻，可以使用直流电压-电流测量仪器，将输入端接入MOS管的源极和栅极，输出端接入MOS管的漏极和源极，通过测量输出电流和电压的变化，可以得到较为准确的MOS内阻值。同时，还可以通过改变栅极-源极电压的大小，来研究MOS管的特性和性能表现。
MOS管驱动芯片的供电电流如何算？
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。
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