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igbt米勒阶段产生原因？IGBT为什么关断的时候最好要负压呢？

2024-04-18 18:41:14 文章来源 :网络 围观 : 次 评论

　　igbt米勒阶段产生原因？

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的米勒阶段产生是由于晶体管的输入和输出之间的电容存在。当输入信号发生快速变化时，电容会导致输出信号的延迟和失真。这是因为输入信号的变化会导致电容充放电，从而影响晶体管的开关速度。

　　为了减少米勒效应，可以采取一些措施，如增加驱动电流、降低电容值、优化布局和设计等。这样可以提高IGBT的开关速度和性能，减少米勒阶段的影响。

　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）的米勒阶段产生主要是由于IGBT的内部电容和外部电路的不匹配所导致的。IGBT的内部电容包括输入电容、输出电容和反馈电容，这些电容在IGBT的开关过程中会产生电荷和放电过程。当IGBT的输入电压或输出电压发生变化时，这些电荷和放电过程会引起电流的突变，从而导致电流和电压的非线性响应。在IGBT的开关过程中，如果外部电路的电感和电容的阻抗不匹配，就会导致电流和电压的突变，进而产生米勒阶段。米勒阶段会导致IGBT的开关速度变慢，从而影响IGBT的工作性能和效率。为了避免米勒阶段的产生，需要对电感和电容进行合适的匹配，并控制IGBT的开关速度和工作条件。

　　IGBT为什么关断的时候最好要负压呢？

　　IGBT不一定要加负压，0V也可以关断，只是加负压关断更快，而且可以防止上下半桥相互影响，避免直通。

　　

igbt米勒阶段产生原因？IGBT为什么关断的时候最好要负压呢？

　　比如上半桥开通时，下半桥的门极由于米勒电容的存在，会使门极电压抬升，且开通越快，抬升越高，当门极电压采用0V关断时，有可能抬升超过门槛电压Vgeth而使IGBT导通，此时就会发生上下直通，而如果是采用负压关断，因为下半桥在关断时门极电压是负的，比如-5V，那么抬升的部分跟负压相抵，很难抬升到门槛电压，就避免了上下直通的风险。

　　另外，采用负压关断，关断时由于负压的存在，使得关断速度更快，可以减小关断损耗。

　　

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